ENERJİ ANALİZATÖRÜ

ENERJİ ANALİZATÖRÜ

TOPLAYICI ve GÖRÜNTÜL EY İ C İ
liklerine göre ışığa dönüşürler. Vakum dışına konmuş elektronik bir görüntüleyici ile (charge-coupled device, CCD camera) yaklaşık 0,1 saniye ışıklandırarak ekranın resimleri çekilebilir. Enerji analizatörü, diğer elektron kaynağının örnek yüzünden uyardığı ikincil elektronları
n vakumjj

 

uaKi Koııuıar, om yönteminin temelim oluşturur; ayrıntılar uaşiia Kaynaklardan bulunabilir [5].

Al metalinin temizlenmiş (100) yüzeyinden elde edilen SEI resimleri Şekil 5’te gösterilmektedir. Üst-

Itında k. atomla: n yüzt yer ala
t
U
ENERJİ

ANALİZATÖRÜ
+ HV
– ¿r. Şekil â, Du durumu şe-.: şekilde sergilemektedir, atomundan salınan ikincil •nn genlikleri komşu atom-_:_>:aIografik yönlerde odak-:üarak görülmektedir. Örnek -¿en kurtulanlar büyük olası-

– , elektronlardır. Vakumda bu -’arın yönlerini ölçerek, kris-

:_yii oluşturan atomların kom-ı meydana getirdikleri açıları biliriz. Başka bir deyimle, ” genliklerinin uzayda ölçü-ları, her kaynak atomu ile iki komşu atomların açısal hakkında bize bilgi verir, kaynak atomlarından salı-■. “cil elektronlar eşfazlı olma-‘ian, ölçtüğümüz sinyale her

– ¿atkısı ancak aritmetik olarak -iştir.

“.-iiron, her saçınım sırasında ¿aybeder. Elektronların çok-. .-.imlan sırasında aradığımız
edilen DUgı en ust ^-3 atom taDaıta-sından kaynaklanır.

c. Denev Düzeneği

Şekil 4, kullanılan deney düzeneğini özetlemektedir. Fotoğraf aygıtı dışında, bütün parçalar vakum içinde yer almaktadır. Örnek, yüzü Argon iyon bombardımanı ile temizlenecek ve yaklaşık 900 K’e kadar ısıtılabilecek şekilde, kutup ve semt açıları da döndürülebilecek gibi yerleştirilmiştir. Örneğin sıcaklığı duyarlı bir şekilde ölçülüp, bir geri besleme devresi yardımı ile istenilen değerde durağan tutulabilmektedir. Bir elektron kaynağı 0,01-3 keV arası enerjide, 0,2-0,3 mm çapında odaklanmış elektronları örnek üzerine gönderebilecek gibi ve bir toplayıcı/görüntüleyici sisteminin ekseni üzerine yerleştirilmiştir. Örnekten seken ikincil elektronlar toplayıcı sistemin önce birinci küresel tel ele-
ortuımuş uurumuauır. ıvıeiKc/.ucn dışarı doğru kutup açısı 45° arttırıldığında görülen, simetrik yerleştirilmiş dört tane parlak leke, [110] yönlerini temsil eder. Böyiece, beklenildiği gibi, (100) yüzeyi dörtlü simetriye sahiptir. [111] yönlerinden gelen elektron genlikleri ise bu resimde görülemiyor. Ekranın gösterebildiği en büyük kutup açısı ancak yaklaşık 52° olduğundan, [100] yönüne göre 54,7° uzakta bulunan [111] yönleri ekranın dışında kalırlar. Bu yönler, örnek kutup açısı değişecek şekilde döndürüldüğünde gözlenebilir. Şeklin alt kısmında, aynı kristalden açıları rastgele değiştirildikten sonra elde edilen bir SEI resmi görülmektedir. Bu resimde, kübik yapının her üç asal simetri ekseni gözlenebilmektedir. ilginç olan nokta ise, [111] yönündeki elektron genliğinin oldukça zayıf olmasıdır. Bunun nedeni fcc kristal yapısında atomlar arası
atomh-, bir at ilan ik

birinci elek arasında bir elektrik alanı yoktur; elektronlar yörüngeleri değişmeden yollarına devam edebilirler. Ancak ikinci elek -o da küreseldir- öyle bir eksi gerilimle beslenir ki, ancak %5’e kadar enerji kaybeden elektronlar bu eleği de geçebilir,^aha çok enerji kaybetmiş olanlar ise geri sekerler. Bu eleği geçebilen hızlı elektronlar, artı yüksek gerilimle beşli ekrana çarpar ve gen-
rin üzerinde olduğu için, elektron genliği saçınım sırasında odaklanacağına sönümlenir. Böyiece, [111] yönü fcc kristalinde karanlık kalır. Kütle merkezli (bcc) kristallerinde ise durum değişiktir; [111] yönünde atomlar arası uzaklık az olduğundan, bu yön SEI resimlerinde oldukça parlak gözükür. Bu farklılık bize, fcc ve bcc kristallerini bir bakışta ayır-detme olanağını vermektedir.
CöprâRmıırıırŞ^tif. rra—StrYCuC orııoiviC üiiTia-SiUiï; DU U£aiviiiv fvütirv un üugf
rçekleşir :laşık ; de elek-anımdan :rini ilen atomlar, m dalgs-bi davra-ıcu, ikin-j kaynak | iki kornerde yo-
7c. çok mnttareta–enerji K.ay-
• elektronlar görüntülenmez;

enerjisinin yaklaşık %95’i :.ae sahip olanlar gözlenir. :r. duyarlı olduğu yüzeyaltı inin kalınlığını, elektronların ; Şiştirmeden ve enerji kay-isn serbestçe aldıkları yol 1.5 keV enerjideki elektron-yolu bütün metaller için :.-i olarak 10-15 Â kadardır [2]. rrlamanın sonucu olarak, elde

ları bu gibi yerlerde daha etkince iyonize olurlar; sonuç olarak da bu yerler ekranda daha aydınlık görünür. Böyiece ortaya çıkan kontrast, yüzey atomlarının dağılışını gösteren görüntüdür; gerçek uzayda (real space) ve gerçek zamanda (real time) seyredilir. Deneyin başarıyla yapılabilmesi için yüzeyde uzak erimli düzene gerek yoktur. Bu yöntemin tek sakıncası, örneklerin sivri bir uç şekline getirilmesi zorunluluğudur.

“Taramalı tünelleme mikroskobu” (scanning tunneling microscope) [4] yüzeyleri gerçek uzayda, özellikle yüzeye dik boyutta daha önce rastlanmamış çözünürlükte etkin bir şekilde görüntüler. Deneyin temeli, elektron dalgalarının örneğin yüzeyi üzerinde gezdirilen sivri bir uç ile örnek atomları arasında tünellenmele-rine dayanır. Tünel akımı, uç ile örnek atomları arasındaki mesafeye çok duyarlı bir şekilde bağlıdır. Bu olgu, bir taraftan çözünürlüğün çok duyarlı olmasını sağlarken, diğer taraftan yüzey atomlarının altındaki tabakalardan gelebilecek sinyalin algılanmasına engel olur. Bundan dolayı bu yöntemle, alt tabakalardan sinyal alınmaksızın ancak en üst tabaka yüzey atomları ölçülebilir.

Ne kadar güçlü olurlarsa olsunlar, ne elektrik alan iyon mikroskobu ne de taramalı tünelleme mikroskobu bazı gözlemleri yapmamıza yardımcı olabilirler. Kobalt (Co) metalinin kristal yapısında sıcaklığın değişmesiyle meydana gelen faz dönüşümü bunlardan biridir. Co, iki değişik kristal yapıya sahiptir: alçak sıcaklıklarda yoğun hekzagonal (hep) yapı, yüksek sıcaklıklarda ise yüzey merkezli kübik (fcc) yapı, hcp-fcc faz dönüşümü 1. derece olup, arka arkaya ve iki yönde de gözlenebilir. Faz dönüşümü sırasında atomların uzaklıkları değişmez, maddenin hacmi sabit kalır, atomların komşu sayısında, Öa bir değişme olmaz; değişen ancak (111) atom tabakalarının birbirleri üzerine sıralanmalarıdır. Bu tabakaları, konumlarına göre A (kırmızı), B (mavi) ve C (yeşil) diye adlandıralım. Şekil 2’de görüldüğü gibi, hep yapı, ABAB… şeklindeki sıralanmanın sonucu ortaya çıkar, ABCABC… sıralanması da fcc yapısını oluşturur. Bu sıralanma farklılığı elektronik
Şekil 3: Kristal yüzeyini terkeden ikincil elektronların genliklerinin dağılışı.

özelliklerin değişmesine yeterli: Örneğin elektrik direncinin değeri, dönüşüm sıcaklığı olan 695 K’de bir atlama yapar. Isıtma ve soğutma sırasındaki faz dönüşümlerinde 50 K’in biraz üzerinde bir dönüşüm gecikmesi (hysteresis) gözlenir.

Bir kaç yıl önce, “ikincil elektronlarla görüntüleme” diyebileceğimiz, secondary-electron imaging (SEI) adlı bir yöntem geliştirildi [5], Bu yöntem, katı cismin yüzeydeki ve yüzeye yakın tabakalarındaki atomların geometrik dizilişlerini gerçek uzay ve gerçek zamanda görüntülemektedir. Yöntemi gerçekleştirmek için yüzey, 1-2 keV arası enerjideki elektronlarla uyarılır; geri seken ikincil elektronlar ise iki boyutta, örneğin etrafına yerleştirilmiş yarım küre şeklindeki toplayıcı/görüntüleyici sistem tarafından ışığa çevrilir. Ortaya çıkan görüntü, yüzey atomlarının geometrik (dolaysız) projeksiyonunu simgeler ve böyiece dağılımlarındaki simetriyi ortaya çıkarır. Sinyal genliği yeterli olduğundan ortaya çıkan görüntü oldukça aydınlıktır; gözle görülür, fotoğrafı çekilebilir veya”videoya alınabilir. Bu son olanaktan yararlanarak, zamana göre değişen yüzey süreçleri incelenebilir. ilerdeki bölümlerde, bu güne kadar alınmış sonuçlardan ikisine örnek verilmezden önce, SEI tekniğinin ilkesi ve deney düzeneği anlatılacaktır.

b. İkincil Elektronlarla Görüntüleme (SEI) Nedir?

SEI deneyinin çalışma ilkesini iki adımda özetleyebiliriz: (1) yüzey altı tabakalarda ikincil elektronların uyarılması, (2) bu elektronların yü-
zeye hareketi ve yüzeyden vakum, yayılmaları, ilk adım değişik uyarım larla gerçekleştirilebilir, foton vey. elektron kullanılabilir. Elektronlar!, uyarmanın yararları vardır. Elektronlar, küçük bir alana odaklanabilirle: değişik bölgelerin ölçülebilmesi içir yüzey taranabilir, genlikleri genelcfc fotonlarınkinden daha yüksek olduğundan elde edilecek sinyal de yük sek olur ve böyiece deneyler gerçe’ zamanda yapılabilir. Üstelik, elekt ron yaratmak da oldukça ucuzdur. Yüzeye doğrultulan elektron deme di, yüzeydeki ve yüzeyin altında ka lan değişik tabakalardaki atomla uyarır. Yani, kristal örgünün yüzey yakın bütün noktalarında yer ala atomların bulunduğu yerlerde ikin cil elektronlar doğar. Böyiece yaratı lan ikincil elektronlar, küresel bire dalga olarak yerel kaynak atomların dan etrafa yayılır ve komşu atomlar dan saçınırlar. Önemli olan, bir at” mun bulunduğu yerde yaratılan ikin cil elektronlardan, diğer bir atomu etrafında oluşanların haberinin olma masıdır. Böyiece ortaya çıkan ikine: elektronlar ne dalgaboyu, ne de fa olarak bir diğerine bağımlı değildin ikincil elektronların yaratılması ej fazlı olmayan bir olaydır. Sonuç ola rak, yanyana iki atomdan salına elektronlar girişim yapamazlar; SE deneyi de bir kırınım deneyi değil dir. Özetle, başarılı sonuçların alına bilmesi için ölçülen örnek yüzeyind ancak tekkristallerde rastlanan uza erimli örgü düzenine gerek yoktur.

ikinci adımı modellemek için, atomlardan yayılan küresel elektron dalgalarını, değişik yönlere giden birer düz dalga olarak kabul edebiliriz. Düz dalgalar, komşu atomlardan sa-çınırlar. Bu saçınım, alçak elektron enerjilerinde her yöne, yüksek enerjilerde ise daha çok elektronun geldiği yöne olmak üzere gerçekleşir. Başka bir deyimle, yaklaşık î keV’un üstündeki enerjilerde elek-tron-atom etkileşmesi, saçınımdan sonra elektronların genliklerini ilen yöne doğru odaklar. Yani atomlar, üzerlerine çarpan bir elektron dalgasına bir yakınsak mercek gibi davranırlar. Bu etkileşmenin sonucu, ikincil elektronların genlikleri, kaynak atomları ile onların etrafındaki komşu atomları birleştiren yönlerde yo

Şekil 5: Al(100) yüzeyinin iki değişik konumda SEI yöntemiyle görüntülenmesi.
Örnek Deneyler

a. Kobalt Tekkristalinde Faz Dönüşümü

Katı maddelerde gözlenen 1. derece faz dönüşümüne çoğu zaman yüzeyler de eşlik ederler; bunlardan ilginç ve şaşırtıcı sonuçlar alınmaktadır. Örneğin, seyrek atomlu yüzeylerde maddenin erimesinden çok daha alçak sıcaklıklarda atom düzeninin bozulduğu gözlenmiştir [6]. Kristal yapıda düzenlilik-düzensiz-lik geçişi yapan Cu3Au kristalinde ise yüzeyin düzen parametresi, 2.

na, medde içi dönücüm «ıcaklıg'”1″ cok ab <Lı değişnu baslar iki örı kte de \ uz ,, sıcaklık \ seltild inde kristal min yüksel caklık._ıda 1. Jerec. uır faz doıiLs„ mü vupacağını önceden “tafur. ı” eder.

Kobalt metali 1. derece hcp-fcc faz dönüşümü yapar (Şekil 2). Bu yapı değişikliği sonucu, hep kristalinin (0001) yüzeyi ile fcc kristalinin (111) yüzeyini meydana getiren atom tabakası avm kalır, herhangi
bir şekilde değişmez. Değişen, kristali meydana getiren tüm tabakaların sıralanmasıdır. Bu^edenle faz dönüşümü, yüzeydeki en az üç tabakaya duyarlı deneyler yardımıyla ancak gözlenebilir; SEI yöntemi bu görev için çok uygundur.

Şekil 6’da gösterilen üstteki SEI resmi, Go kristalinden oda sıcaklığında elde edilmiştir, hep kristaline özgü altıgen simetri derhal göze çarpmaktadır. Alttaki resim ise sıcaklığı 800 K’e çıkartılmış kristalden alınmıştır. Bu kez de fcc kristalinin tipik üçlü simetrisi göze çarpar. Bu resimlerden görüldüğü gibi, hep ile fcc arasındaki farkı SEI yöntemiyle gözlemek çok kolaydır. Çoğu kez bir faz dönüşümü gözlendiğinde, geçiş sıcaklığının altında ve üstünde çekilmiş durağan görüntüler birbirle-riyle karşılaştırılır. SEI yönteminde ise, hep ve fcc kristaline özgü iki değişik kristalografik yöndeki saçın-madan kaynaklanan elektron genlikleri devamlı ölçülüp faz dönüşümü gerçek zamanda gözlenebilir. Hedef, yüzey ile kristalin içinde meydana gelen faz dönüşümlerini karşılaştırmaktır. Bu hedefe erişmenin dolaysız yolu da, yüzeyi ve kristalin içini aynı anda gözlemektir; karşılaştırma yaptığımız için bu durumda sıcaklığı mutlak olarak bilmeye bile gerek yoktur, işte bu koşulları yerine getirebilmek için, deneyin uygulandığı Co kristaline 4 tel bağlayıp sürekli olarak elektrik direnci ölçülür. Bu işlem, 2 telden durağan bir akım geçirip, diğer 2 telden de kristalin iki ucundaki gerilimi ölçmekle gerçekleştirilir. Bu şekilde elde edilen elektrik direnci, kristalin iç yapısı hakkında bilgi verir. Kri-stali alt yüzünden ısıtıp, üst k, ûlçülmi.s olan direnç *ğ-risinden parabolik katkı çıkarılmış, geri kalan değer ise hep yapı için bir, fcc yapı için de sıfır olacak şekilde normalize edilmiştir. Sıcaklığın değişme yönü oklarla gösterilmektedir. Görüldüğü gibi direnç, ısıtma sırasında 700 K’de birdenbire düşer, ya-

ni kristalin iç yapısı değişir, soğutrat sırasında da 660 K’dc tekrar eski de-a gerini alır. Burada gösterilen değe:^ ler, ısıtma ve soğutma hızları 2,5 K J olarak seçilmiş deney sonuçlandı* Bu hızlar 400 K/h olarak seçildiğini de, direncin değişme değerleri araJ smdaki dönüşüm gecikmesi 60 K‘a kadar çıkar. A ile gösterilen ise, SEI görüntülerinden elde edilmiş elek:-] ron genlikleri oranıdır ve yüzeyi: yapısını temsil eder: hep yapısı içi;» bir, fcc yapısı için de sıfır değerini taşır. A değerlerinin sıcaklıkla değİM meşinde de bir dönüşüm gecikme1değiş . koşullarda ckraıı siras bulunan sonuçlara göre, sıcaklığın değişme hızı azaltıldığında yüzeyin dönüşüm gecikmesi davranışı genişler, kristalin içinden gözlenen ise daralır. Çarpıcı bir şekilde göze batan bu iki farklılığın yanı sıra, benzerlikler de vardır; yüzeyden ve kris-

Şekil 6: Oda sıcaklığında (üstte) ve 800 K’de (altta) Co kristalinden alınan SEI görüntüleri.

Sofya Müzesi’rSfh kuzey duvarında bulunan Pontus Rum sanatı örneği taş süslemelerden biridir. Aşağıdaki resim ise, Erzincan Tercan’da Mama Hatun Kümbeti’nde bulunan, çok sayıda ve değişik simetriler sergileyen Selçuk eseri süslerden biridir.

Gösterilen SEI görüntüleri, yerel ikosahedral simetriye sahip hatasız atom kümelerinden elde edilmiş olabilirler. SEI deneyinde kullanılan ve uyarıyı yapan elektronlar 0,2-0,3 mm’lik bir noktaya odaklanmışlardır. Bu odak noktası içinde çok büyük sayıda ikosahedral atom kümeleri bulunur. Dolayısıyla, gösterilen SEI görüntüsüne pek çok sayıda atom kümesi katkıda bulunmuştur. SEI görüntüsünde görülen kontrast niteliği ise tekkristallerden elde edilenlerinkinden kötü değildir. Buradan çıkardığımız sonuç şudur: atom kümeleri uzayda öyle bir düzende sıralanmışlardır ki, bütün 5-li simetri sergileyen yüzeyler hem birbirlerine koşut, hem de aynı yöne döndürülmüşlerdir. Böyle olmasalardı, görüntülerde ya yeknesak bir genlik dağılımı gözlenirdi veya beşgen yerine çemberler oluşabilirdi. Böylece kuasikristalden gözlediğimiz bu düzene uzak erimli açısal düzen denilebilir.

Eğer sunulan SEI görüntüleri ikosahedral atom kümelerinden elde edilmişse, elektronların yüzeyde uyardıkları hacmin büyük bir kısmı-
önemsenmeyecek kadar az olmalıdır. Bu katkının az olması demek ise, ya malzemenin miktarının az olması veya malzemenin kendisinin de ikosahedral simetriye uygun düşen bir simetriye sahip olması demektir. Bu durum, ilk başta sergilenen Topkapı Sarayı Müzesinde çe-

çarpıcı bir şekilde görülmektedir. Kuasikristallcrle ilgili daha birçok bilinmeyen vardır. Yapılarının deği-
şik özellikleri bulunmuş durumJ birçoğu ise halen araştırılmaktadır. I Yukarıdaki SEI resimlerinJ atom yapısı gösterilen Al70PdJ Mnjo ikosahedral kuasikristalirâj yüzeyi, Argon iyonları ile bombard man edildiğinde yapısında değişil likler gözlenir. Hatta, bu işlem yea rince uzun uygulanırsa, kuasikris lin yüzeyi bcc yapıya dönüşür, durumda, spektroskopik yöntemle le yüzeydeki atomların oranı ölç J düğünde, Al70Pd2oMn1g yerin AlsoPdso bulunur. Yani, Ar iyonU Pd atomlarına göre daha çok Mn Al atomlarını yüzeyden uzaklaşt dıklarından, yüzeyin çok ince bir i bakasında geriye kalan atomlar kin yasal kararlı bir alaşım olan A1P kristalini oluşturmuşlardır. Dola« sıyla gözlenen yapı bcc yerine, Cs kristal yapısı olabilir. SEI yönten simetrisini görüntülediği atomları cinsleri hakkında bize bilgi verems Bu eksikliğin sonucu olarak, birdd fazla atomdan oluşan alaşımlardı elde edilen görüntülerde hangi ged liğin hangi tür atomdan kaynakla

.> îirtı h.-‘ir t}şl t a! n>rl<{

– ,\Cİ bunlardan yüksek sırı ..rastlananıdır. Kuasikris-;’inde oluşabilmesinin nede-V’Pd kristalinde Al atomları n bağın 0,305 nm,

: \InjQ kuasikristalinde ise -klüğün 0,282 nm olması-î.’-~ yanı sıra, kuasikristalin gösterilen 5-li simetri yü-‘■ekil 11’de gösterilen CsCl

– 110) düzlemine nasıl otur-. -.e’enecek olursa, bu ara yü-n -cerface) iki tarafındaki

i. – ‘ aralıklarının birbirlerine

– – – ::: uyum sağladığı saptanır, ara yüzeyi göstermekte –

yapısındaki AlPd kristali-‘ilzey atomları kırmızı da->: ^asikristalin beşli simetri

– -r’ üzey atomları da daha bü-. daireler olarak gösterilmiş–s görülen bu uyum şaşırtı–:r bu uyum, AlPd alaşımında , ^ksek sıcaklıklarda karalı •v.I fazının oda sıcaklığında -resini sağlar. Yine bu uyum, ırz -cidar bilinen bütün kuasik-^rıjrmın temelinde bcc yapı-r: ■ _ .nduğunu ön gören kuram-:i~:;kler [11]. Bu gözlemin bir ü da, ana maddenin ancak i j-.rnli açısal düzene sahip ku–3İduğu, üzerinde büyümüş
yüzeyinden elde edilen SEI görüntüsü.

Beklentiler

Fizik bilgimizi üç boyuttan iki boyuta geliştirmemiz, yüzeyleri daha çok anlamamızı, yalnız yüzeylerde meydana gelen olayları keşfetmemizi ve daha sonra da bunları yapay olarak uyarmamızı sağlar. Yüzey fiziğinde ve uygulanmasında son yılların giderek artan uğraşısı, temiz yüzeyler üzerinde büyütülen ince metal tabakalar, bunların özellikleri ve teknolojide kullanımlarıdır. Örneğin, temel bilimi ilgilendiren anahtar soru, yüzeyde büyütülen bir Fe, Co, Ni veya Gd metalinin ferro-manyetik özellikler göstermesi için kaç atom kalınlığında olması gerektiğidir [12]. Deneysel çalışmalar hem böyle sorulara yanıt üretmekte, hem de yeni yeni soruların doğmasını tetiklemektedirler.
v ■ V/^.v x
hu yöntemin, yaDukiuKu vc gcıçck
ri teknik diğeri de fizik konusu olmak üzere iki yararı daha vardır: uyarıyı yapan elektron demeti kaynağı ve yüzeyden salman ikincil elektronları resmetmek için kullanılan aygıt, örnekten uzağa konulabilir. Böyiece, örnek yüzeyine uygulanacak herhangi bir işlem ile çakışma olmaz. Fizik konusunda ise, yöntemin temelinde girişim olayı olmadığından, ölçülen elektron genlikleri duyarlı bir şekilde sıcaklığa bağımlı değildirler; Debye-Waller sönümlenmesi görüntülerin kontrastını bozmaz. Dolayısıyla deneyler, ince tabaka büyütme teknolojisinin gerektirdiği sıcaklıklarda gerçekleştirilebilir.

İncelediğimiz maddelerin ve ürettiğimiz aygıtların boyutları küçüldükçe, bunları anlamak ve geliştirmek için kullandığımız fizik ilkelerinin boyutları büyüyecektir. O zaman etrafımızdaki ve içinde yaşadığımız doğayı değil, kendi yarattıklarımızı inceler olacağız. Kimbilir, o zaman doğa bilimci ile sanatkârı bugün olduğu gibi hâlâ birbirine yaklaştırabilecek mi?

Mehmet Erbudak

Prof., Dr., Katı Hal Fiziği Enstitüsü, Zürih Federal Teknik Yüksek Okulu, 8093 Zürih, İsviçre

Kaynaklar:

1. (I Arf, kişisel görüşmeler.

2. A. ZangwiÜ, Physics at Surfaces, Cambridge Tniversity

Press, Cambridge, 1988.

3. E. Müller, CRC Crit. Rev. Solid State Sei. 6, 85 (1976).

4. G. Binning, H. Rohrer, Ch. Gerber, and E. Weibel, Phys.

Rev. Lett. 49, 57(1982).

5. M. Erbudak, M. Hochstrasser, E. Wetli. and M. Zurkirch,

Surface Rev. Lett. 4,179 (19971

6. J.W.M. Frenken and J.F van der Veen. Phys. Rev. Lert. 54,

134(1985).

7. V.S. Sundaram, ß. Farrell, R.S. Alben, and W.D. Robertson,

Phys. Re\. Lett. 31, 1136 (1973).

8. M. Erbudak. E. Wetli, M. Hochstrasser, D. Pescia, and D.D.

Yvedensky, Phys. Rev. Lett. 79, 1893 (1997).

9. D. Shechtman, I. Blech, D. Gratias, and J.W. Cahn, Phys.

Rev. Lett. 53, 1951 (1984).

10. M. Erbudak, H.-U. Nissen, E. Wetli, M. Hochstrasser, and

S. Ritsch, Phys. Rev. Lett. 72, 3037 (1994).

11. Y.E. Dmitrienko and S.B. Astafev, Phys. Rev. Lett. 75,

1538 (1995).

12. N.D. Mermin and H. Wagner, Phys. Rev. Lett. 17. 1133 (1966).
Şekil 12: Kuasikristal ile bcc yapının ara yüzeyi (interface).
Deneylerde kullanılan ince tabakalar yüzeylerde büyütülür; niteliklerinin hatasız olması gerekir. Tabakaların üretim sırasında, gerçek zamanda ve üretme zamanından çok daha çabuk bir şekilde kontrol edilebilmesi gerekmektedir. Yukarıda, çalışma ilkesi sunulup uygulama örnekleri verilmiş olan